型号:SI2316DS-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 50 毫欧 @ 3.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 800mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 215pF @ 15V |
功率_最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市嘉万骏科技有限公司 | 林小姐0755*83682918 |
深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
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深圳市涛能电子科技有限公司 | 朱成平13537790913 |
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